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Week 6 · 반도체 기술 트렌드 (황유상 펠로우)

반도체 제품 기술 트렌드와 로봇
From Semiconductor Scaling to Physical AI — 데이터 중심 시대의 메모리·소자·아키텍처 혁신

영어 강의를 듣기 전에 읽는 예습 자료입니다. 왼쪽 슬라이드를 보며 오른쪽 설명을 읽어보세요. 슬라이드를 클릭하면 크게 볼 수 있습니다.

핵심 요약

반도체는 인간의 뇌처럼 센싱·연산·저장을 담당하며, 스케일링 한계와 데이터 중심 전환 속에서 HBM·뉴로모픽·차세대 소자로 진화해 결국 로봇(피지컬 AI)의 두뇌로 향한다.

반도체의 본질과 산업 구조

반도체는 센싱(이미지센서·DVS), 프로세싱(CPU·GPU), 저장(메모리·스토리지) 기능을 수행한다. 기업은 설계 전문(디자인), 제조 전문(파운드리), 통합형(IDM)으로 나뉘며 PPAC(전력·성능·면적·비용) 개선이 경쟁의 핵심이다.

스케일링의 한계와 포스트 무어

채널 길이가 50년간 10μm에서 3nm으로 줄었지만 10nm 이하는 '이펙티브' 수치일 뿐 물리적 한계에 도달했다. 무어의 법칙 종료가 선언되며 More Moore와 패키징 중심의 More than Moore로 길이 갈린다.

데이터 중심 전환과 메모리의 부상

산업의 화두가 컴퓨터 센트릭에서 데이터 센트릭으로 이동했다. AlphaGo 사례에서 메모리 비용이 CPU의 1.5배에 달하듯, AI 시대에 메모리는 가장 수익성 높은 핵심 비즈니스로 떠올랐다.

폰 노이만 한계와 새 아키텍처

CPU와 메모리 분리로 인한 데이터 이동의 전력·지연 문제를 극복하기 위해 PIM·PNM·CIM·브레인라이크 아키텍처가 등장한다. HBM은 IO를 1024개로 늘려 데이터 이동 효율을 높인 대표 사례다.

HBM과 첨단 패키징

HBM은 TSV로 칩을 적층하고 낮은 핀당 스피드와 많은 IO로 저전력·고대역폭을 동시 달성한다. 인터포저, 웨이퍼 씬닝, 하이브리드 본딩 등 고난도·고비용 공정이 동반되며 HBM4 이후 광통신까지 확장된다.

소자 진화와 로봇으로의 귀결

FinFET→GAAFET(MBCFET), 백사이드 파워(BSPDN), 3D NAND 적층으로 PPA를 끌어올린다. 궁극의 목표는 5W 저전력·실시간 엣지 브레인을 갖춘 휴머노이드 로봇이며, 로봇과 반도체가 미래 비즈니스의 중심이 된다.

반도체는 스케일링의 물리적 한계를 패키징·메모리·소자·아키텍처 혁신으로 넘어서며, 데이터 중심 시대를 거쳐 로봇(피지컬 AI)의 두뇌로 진화한다.
Part 1슬라이드 1~5

01반도체의 종류·기능과 비즈니스 모델

slide 1
슬라이드 1 · 제목 — 반도체 기술 Trend 와 로봇
slide 2
슬라이드 2 · 강연자 약력 (황유상 펠로우)
slide 3
슬라이드 3 · 목차
slide 4
슬라이드 4 · 반도체 소자의 종류 (Human Brain)
slide 5
슬라이드 5 · 반도체 산업 구조 (Design·Foundry·IDM)
슬라이드 내용 정리

강의 제목 슬라이드입니다. 제목은 「반도체 기술 Trend 와 로봇」이고, 강연자는 황유상(YooSang Hwang) SSIT 자문 교수입니다. 이번 주차 강의가 다룰 큰 두 축인 반도체 기술 트렌드로봇을 함께 제시하고 있습니다.

교수님 설명

이번 주 강연은 삼성전자에서 오랜 기간 메모리(특히 DRAM) 기술을 이끌어 오신 황유상 펠로우님이 맡으셨습니다. 강의의 핵심 메시지는 "반도체 기술이 어디로 가고 있으며, 그 종착점이 결국 로봇(피지컬 AI)이 될 것"이라는 점입니다.

그래서 강의 전체가 ① 반도체 산업의 큰 흐름과 한계, ② 그 한계를 넘기 위한 새로운 메모리·패키징·소자 기술, ③ 그리고 이 기술들이 모여 완성되는 로봇용 반도체라는 순서로 이어집니다.

슬라이드 내용 정리

강연자 약력을 1996~2026 타임라인으로 보여줍니다. 황유상, 재료공학(Material Science and Engineering) 박사이며, 1995~1996 버지니아 텍(Virginia Tech) 포스트닥, 150nm~20nm DRAM 설계·집적 엔지니어, 2005~2007 IMEC 파견(Assignee), 2013~2017 IEDM 위원회 위원·의장, 2020년 Fellow 선임, 현재 SSIT VP·교수를 거치셨습니다. 오른쪽 그림은 DRAM 단위 셀(Unit Cell)이 150nm에서 15nm로 약 10배 미세화되었음을 비교합니다.

교수님 설명

재료공학으로 학사·석사·박사를 마치고 버지니아 텍에서 포스트닥을 하신 뒤, 2014년부터 2017년 무렵까지 IEDM(반도체 분야 최고 권위 학회)의 아시아 의장 등을 맡으셨고, 2020년에 펠로우로 선임되셨으며 이후 사내 공과대학 교수 역할도 하셨다는 소개입니다.

약력에서 주목할 점은 경력 전체가 DRAM의 미세화(스케일링)와 함께한다는 것입니다. 셀 크기를 150nm에서 15nm까지 줄여 온 역사 자체가 이 강의가 말하려는 "스케일링의 시대와 그 한계"를 그대로 보여주는 배경이 됩니다.

슬라이드 내용 정리

목차입니다. 강의는 네 부분으로 구성됩니다. ① 반도체 산업 Trend(이번 섹션), ② 로봇과 반도체의 만남, ③ 로봇 향(向) 반도체 기술, ④ 반도체 소자 기술 방향. 현재는 첫 번째 항목인 산업 트렌드를 파란색으로 강조하고 있습니다.

교수님 설명

강의의 전체 지도라고 보면 됩니다. 먼저 반도체 산업이 왜 지금처럼 움직이는지(가격·투자·수요 구조)를 본 다음, 그 기술이 로봇과 어떻게 만나는지, 로봇을 위해 어떤 반도체가 필요한지, 마지막으로 소자(트랜지스터·메모리) 차원에서 기술이 어디로 향하는지를 차례로 다룹니다.

지금 이 섹션은 첫 번째 블록, 즉 반도체의 종류·기능과 산업 비즈니스 모델을 이해하는 단계입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 「Products of Semiconductor Devices」이고, 가운데에 "Human Brain(사람의 뇌)"을 두고 반도체 제품을 뇌의 기능에 비유합니다. 뇌 그림 안에는 기억·사고·감각·소통이 적혀 있습니다.

  • 기억(저장): DRAM, Flash, SSD
  • 소통(통신): Modem, Optical Transceiver
  • 사고(처리): CPU/GPU, AP(애플리케이션 프로세서), NPU
  • 감각(센싱): Image Sensor, LiDAR, DVS
교수님 설명

반도체는 결국 사람의 뇌를 흉내 내는 부품이라는 관점입니다. 뇌가 하는 일을 셋으로 나누면 센싱(감각)·프로세싱(사고)·저장(기억)이고, 각 기능마다 전용 반도체가 있습니다. 센싱은 이미지 센서나 DVS 같은 센서 반도체, 프로세싱은 CPU·GPU, 저장은 메모리·스토리지가 담당합니다.

여기서 꼭 구분해야 할 개념이 메모리(Memory) vs 스토리지(Storage)입니다. 메모리는 작업 중인 데이터를 잠시 담아 두는 임시 기억 장치(DRAM)이고, 스토리지는 전원이 꺼져도 남는 영구 기억 장치로 게임의 '세이브'에 해당합니다. SSD는 이 두 성격을 함께 갖는 제품으로 소개됩니다.

보충 설명

비유를 이어가면, 메모리는 책상 위 작업 공간이고 스토리지는 책장입니다. 책상이 넓으면 한 번에 많은 일을 펼쳐 빠르게 작업할 수 있지만, 자리를 뜨면(전원 OFF) 책상 위 내용은 사라집니다. 그래서 작업물을 책장(스토리지)에 옮겨 보관해야 합니다. DVS(Dynamic Vision Sensor)는 화면 전체를 매 프레임 찍는 대신 '변화가 생긴 픽셀'만 알려주는 센서로, 저전력·고속이라 로봇·자율주행 같은 실시간 응용에서 주목받습니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 「Commercialize Hierarchy of Semiconductor (SOC)」입니다. 왼쪽 피라미드는 아래에서 위로 Material/Equipment(소재·장비) → Unit Process(포토·에치 등 단위공정) → CMOS FET → Standard Cell Lib → IP/Block → SoC 순으로 쌓이는 기술 계층을 보여줍니다. 위쪽은 Design(설계), 아래쪽은 Manufacture(제조) 영역이며, 두 영역을 모두 가진 사업 형태가 가운데 IDM입니다.

  • Fabless(설계 전문): Qualcomm, NVIDIA, Apple, Broadcom
  • Foundry(제조 전문): TSMC, UMC, SMIC, Global Foundry, Samsung Foundry
  • IDM(Integrated Device Manufacturer): Intel, NXP, STMicro, TI
교수님 설명

반도체 기업의 비즈니스 모델을 세 가지로 정리합니다. 디자인(팹리스) 회사는 설계만, 파운드리는 제조만 전문으로 하며 대표 기업이 TSMC입니다. 그리고 설계와 제조를 함께 하는 회사가 IDM으로, 인텔과 삼성 메모리 사업부 등이 여기에 해당합니다.

삼성의 경우 사업 구조를 나눠서, 남의 칩을 위탁 생산하는 파운드리와 자체 설계를 하는 시스템 LSI로 사업부를 분리해 운영한다는 점도 언급됩니다. 즉 같은 회사 안에서도 '제조 서비스'와 '설계'가 서로 다른 조직으로 돌아간다는 것입니다.

보충 설명

피라미드를 이해하는 핵심은 아래일수록 무겁고(설비·투자 집약적), 위일수록 가볍다(설계·IP 집약적)는 점입니다. 팹리스(NVIDIA·Apple 등)는 피라미드 위쪽 설계만 맡아 거대한 공장 투자를 피하고, 그 제조를 파운드리(TSMC)에 맡깁니다. 반대로 IDM은 위아래를 모두 떠안아 투자 부담은 크지만 설계·공정을 한 몸으로 최적화할 수 있습니다. 이 산업 구조가 다음 슬라이드들에서 나올 '천문학적 투자 규모'와 '높은 리스크' 이야기의 출발점이 됩니다.

Part 2슬라이드 6~10

02반도체 산업의 특성: PPAC·투자·수요

slide 6
슬라이드 6 · 반도체 사업의 3대 특징
slide 7
슬라이드 7 · 응용처 변천과 디바이스 폭증
slide 8
슬라이드 8 · ICT 메가트렌드의 요구사항
slide 9
슬라이드 9 · 컴퓨트 센트릭 → 데이터 센트릭
slide 10
슬라이드 10 · DRAM 시장의 변화 (AlphaGo 사례)
슬라이드 내용 정리

제목: Character of Semiconductor Business (반도체 사업의 특성). 세 가지 키워드로 요약됩니다.

짧은 제품 수명주기(Product Life Cycle) → 끊임없는 기술 개발. ② 가격 지속 하락(Price) → 원가절감 활동 지속. ③ 대규모 투자(Capex, R&D) → 투자 타이밍 결정은 어렵지만 투자 손실 시 타격이 큼.

오른쪽 위 그래프는 DRAMNAND의 비트당 가격($/Gb)이 해마다 떨어지는 추세를 보여줍니다(DRAM 약 -31%/yr, NAND 약 -47%/yr). 아래쪽에는 반도체 라인 한 개의 투자 규모가 건물 그림과 함께 1.2조 → 5조 → 7.5조로 커지는 모습이 그려져 있습니다.

교수님 설명

반도체 산업의 가장 큰 특징은 기술 발전 속도가 너무 빨라서 가격이 끊임없이 떨어진다는 점입니다. 그래서 먼저 가격을 낮추는 기업이 시장을 선점하고 수익을 가져가는 게임입니다. 가격을 낮추려면 결국 스케일링(scaling), 즉 소자를 작게 만드는 미세화가 핵심이고, 이를 통해 한 번에 네 가지를 개선하려 합니다. 이것이 이른바 PPAC — Power(전력 감소), Performance(성능 향상), Area(면적 축소), Cost(비용 절감)입니다.

두 번째는 투자 규모가 어마어마하다는 것입니다. 반도체 라인 하나를 짓는 데 현재 약 5조 원이 들고, 앞으로는 7~8조 원까지 갈 것으로 봅니다. 세계에서 가장 높은 빌딩인 부르즈 칼리파(약 2.2조 원)의 두 배가 넘고, 인천공항 건설비와 맞먹는 수준입니다. 그만큼 한 번 판단을 잘못하면 회사가 파산할 수도 있는, 리스크가 큰 비즈니스라는 점을 강조하셨습니다.

보충 설명

왜 "가격이 떨어지는데도 돈을 버는" 구조가 가능한지가 핵심 직관입니다. 미세화를 하면 같은 면적(웨이퍼)에서 더 많은 칩을 찍어낼 수 있어 칩 한 개당 원가가 떨어집니다. 시장 가격이 떨어져도 원가를 더 빨리 떨어뜨린 기업은 마진을 유지하고, 따라가지 못한 기업은 적자를 봅니다. 그래서 "남보다 먼저 미세화에 성공해 가격을 내리는 자가 이기는" 산업인 것입니다.

슬라이드 내용 정리

제목: Trend of Semiconductor Application (반도체 응용처의 변천). 부제는 "Exponential Growth driven by PC → Smart Phone → AI, 5G, Data Center" — 응용처가 PC에서 스마트폰을 거쳐 AI·5G·데이터센터로 이동하며 기하급수적으로 성장한다는 의미입니다.

응용 단계가 Compute(연산) → Mobile(모바일) → Data(데이터)로 발전하고, 연결 디바이스 수는 6.6B → 14.4B → 50B를 거쳐 125B(Connected Devices)로 폭증합니다. 같은 기간 세계 인구는 0.5B → 6.7B → 7.2B → 7.6B → 8.5B 수준으로, 디바이스 증가 속도와 비교가 안 됩니다(출처: Cisco Global Cloud Index 2016, IHS 2017).

교수님 설명

반도체를 쓰는 디바이스가 폭발적으로 늘어나고 있다는 점을 보여주는 슬라이드입니다. 2003년 대비 약 10배로 늘어, 지금은 한 사람이 평균적으로 약 10개의 디바이스를 들고 다니는 시대가 되었습니다. 스마트폰, 태블릿, 스마트카, 스마트팩토리 등 새로운 애플리케이션이 계속 등장하면서 수요는 끝없이 확대됩니다.

그래서 이 시장을 성공적으로 선점하면 엄청난 수익이 따라옵니다. 대표적인 예가 SK 하이닉스의 HBM입니다. 앞으로의 응용 분야들은 지금보다 10~100배 높은 성능을 요구하기 때문에, 반도체 입장에서는 풀어야 할 숙제이자 동시에 거대한 기회라는 것입니다.

슬라이드 내용 정리

제목: Requirement of ICT Mega Trend (ICT 메가트렌드가 요구하는 것). 무지개 형태의 그림에 다섯 가지 요구사항이 배치되어 있습니다.

Data Rate(데이터 전송 속도): 100배 ↑, Connection(연결 수): ~100배 ↑, Traffic(트래픽): ~100배 ↑, Resolution(해상도): 10배 ↑, Latency(지연): 10배 ↓. 중앙에는 Deep Learning이 자리하며 시장 규모 $340B('20), 약 200배 성장이 표기되어 있습니다. 통신은 3G → 4G → 5G로 발전합니다.

교수님 설명

앞 슬라이드에서 말한 "10~100배 성능"이 구체적으로 어떤 항목들인지를 정리한 장표입니다. 통신은 더 빨라지고(데이터 레이트·트래픽 100배), 더 많은 기기가 연결되며(연결 100배), 화면은 더 선명해지고(해상도 10배), 응답은 더 즉각적이어야 합니다(지연 1/10). 이 모든 것의 중심에 딥러닝(Deep Learning)이 있습니다.

핵심은 이런 요구를 만족시키려면 결국 막대한 데이터를 빠르고 효율적으로 처리·저장해야 한다는 점이고, 이것이 다음 슬라이드의 '데이터 중심으로의 전환'과 메모리 수요 급증으로 이어집니다.

슬라이드 내용 정리

제목: Requirement of ICT Mega Trend, 부제 "Compute Centric에서 Data Centric으로 변화". 왼쪽에는 시대를 이끄는 응용들이 쌓여 있습니다 — 5G/Cloud, Deep Learning, Autonomous(자율주행), Industry 4.0/Smart City, 4K·AR/VR·Vision IoT.

중앙은 Data Explosion(데이터 폭증, 52B'15 → 402B'20)으로, 데이터가 비정형(Unstructured)정형(Structured)으로 나뉘어 급증합니다. 이로부터 Service Intelligence(빅데이터 분석, 개인화, 예측/실시간, Machine/Infra)가 나오고, 오른쪽 그래프는 메모리 수요의 폭발 — 이른바 "Memory Big Bang"을 나타냅니다.

교수님 설명

반도체 산업을 관통하는 키워드가 컴퓨터 중심(Compute Centric)에서 데이터 중심(Data Centric)으로 바뀌고 있다는 것이 이 슬라이드의 메시지입니다. 과거에는 "얼마나 빨리 계산하느냐"가 중요했다면, 이제는 자율주행·딥러닝·스마트시티 같은 응용들이 쏟아내는 방대한 데이터를 어떻게 다루느냐가 더 중요해졌습니다.

데이터가 폭증하면 그것을 담아둘 메모리 수요가 급증합니다. 교수님은 이를 "메모리 빅뱅"이라 부르며, 메모리가 산업의 주변부가 아니라 중심으로 올라서는 전환점이라고 설명하셨습니다.

슬라이드 내용 정리

제목: Change of DRAM Market (DRAM 시장의 변화). 왼쪽 그래프는 "Each computing cycle evolution brings 10X more devices" — 컴퓨팅 세대가 바뀔 때마다 디바이스가 10배씩 늘어난다는 내용으로, Mainframe → Mini Computer → PC → Cable Internet → Mobile Internet을 따라 1MM+ → 10MM+ → 100MM+ → 1B+로 증가합니다. 오른쪽은 AlphaGo 대 이세돌 대국 사진입니다.

아래쪽 AlphaGo 시스템 비용 분석:

· 인공지능 파워 = 연산력 × 메모리 용량
· AlphaGo = 서버 300대(PowerEdge R820) + 알고리즘
· CPU: 300대 × 4 CPU(15 Core) = 1,200개 → 1,200 × $6,600(Xeon E7-4890) = $7,920,000
· DRAM: 300대 × 48 메모리 모듈 × 64GB = 921,600개(8Gb) → 300 × 48 × $900 = $12,960,000

교수님 설명

이 슬라이드의 핵심은 AI 시스템에서는 메모리 값이 CPU 값보다 더 비싸다는 사실입니다. AlphaGo를 구성하는 데 든 비용을 따져보면 CPU에 약 $7.92M가 든 반면 DRAM에는 약 $12.96M가 들어, 메모리 비용이 CPU 비용의 약 1.5배입니다.

우리가 쓰는 일반 PC나 노트북에서는 메모리 비용이 CPU 비용의 1/10 수준에 불과합니다. 그런데 AI 시스템에서는 이 비중이 완전히 뒤집힙니다. 즉 AI 시대가 오면서 메모리가 가장 돈이 되는 비즈니스로 떠오르는 전환점이 시작된 것이고, 이것이 'DRAM 시장의 변화'라는 제목의 의미입니다.

보충 설명

"인공지능 파워 = 연산력 × 메모리 용량"이라는 식이 직관의 핵심입니다. 아무리 빠른 CPU·GPU가 있어도 처리할 데이터를 담아둘 메모리가 부족하면 성능이 나오지 않습니다. AlphaGo가 보여준 것은 AI의 성능이 연산뿐 아니라 메모리 용량에 크게 좌우된다는 점이고, 이 때문에 이후 HBM 같은 고성능 메모리가 AI 반도체의 승부처가 됩니다.

Part 3슬라이드 11~13

03데이터 중심 전환과 메모리의 부상

slide 11
슬라이드 11 · 트랜지스터 미세화 추세와 무어의 법칙 둔화
slide 12
슬라이드 12 · 반도체 기술의 방향: More Moore vs More than Moore
slide 13
슬라이드 13 · 목차 — '로봇과 반도체의 만남'으로 전환
슬라이드 내용 정리

제목은 Trend of The Number of Transistor(트랜지스터 수의 추세)이고, 부제는 Increase in Total Transistors/Chip Slow Down(칩당 총 트랜지스터 수 증가가 둔화되고 있다)입니다.

왼쪽 그래프는 세로축이 공정 노드 Technology Node (μm), 가로축이 연도입니다. 10um@1971 (First Node)90nm@2003 (300mm)14nm@2014 (FinFET)3nm @ 2022 (MBC)로 이어지며, 전체적으로 3/10000배(3/10000x) 줄었다고 표기되어 있습니다. 하단 문구는 "50여년 동안 3/10000배로 소자 크기 감소!!!".

오른쪽 그래프는 고전적인 무어의 법칙 곡선으로, 칩 위의 트랜지스터 수가 2년마다 2배(The number of transistors on a chip double every 2 Year)로 늘어난다는 내용입니다.

교수님 설명

무어의 법칙(Moore's Law)은 "2년마다 칩 안의 소자(트랜지스터) 수가 2배로 늘어난다"는 경험 법칙입니다. 이 미세화(scaling)를 통해 전력(Power), 성능(Performance), 면적(Area), 비용(Cost)을 한꺼번에 개선(PPAC)해 왔습니다. 파운드리 기준으로 지난 50여 년간 채널 길이가 10마이크로(μm)에서 3나노(nm)까지 줄어든 것이 바로 이 곡선이 보여 주는 흐름입니다.

다만 10나노 이하부터는 숫자가 실제 물리적 치수가 아니라는 점을 강조하셨습니다. 5nm·4nm·3nm는 마케팅상의 '이펙티브(effective)' 명칭일 뿐, 실제 디멘션은 여전히 10nm 이상이라는 것입니다. 결국 진짜 물리적 미세화는 한계에 도달했고, 이제는 무어의 법칙이 사실상 종료되었다고 선언할 수 있다는 것이 이 슬라이드의 핵심 메시지입니다.

보충 설명

이 섹션의 큰 줄기는 컴퓨터 중심(computer-centric) → 데이터 중심(data-centric)으로의 전환입니다. 응용 분야에서 처리해야 할 데이터 양이 폭발적으로 늘면서, 단순히 연산을 빠르게 하는 것보다 데이터를 담아 둘 메모리의 수요가 급증했다는 흐름입니다.

교수님이 든 대표 사례가 알파고(AlphaGo)입니다. 일반 PC·노트북에서는 메모리 비용이 CPU 비용의 약 1/10 수준이지만, 알파고 같은 AI 시스템에서는 메모리 비용이 CPU 비용의 약 1.5배로 역전됩니다. 즉, 미세화가 한계에 부딪힌 바로 그 시점에 AI가 메모리를 '돈 되는 비즈니스'로 끌어올린 전환점이 되었다는 직관을 보여 줍니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Direction of Semiconductor Technology(반도체 기술의 방향)이며, 두 개의 축으로 기술을 분류합니다. 세로축은 CMOS Scaling(아래 방향이 More Moore — 무어의 법칙 연장), 가로축은 Functional Diversification(기능 다각화, 왼쪽 Homogeneous → 오른쪽 Heterogeneous)이며 이 가로 방향이 More than Moore입니다.

지도 위에는 여러 기술이 위치합니다. 미세화 축에는 Strained Si, High-k Metal Gate, FinFET, Nanowire FET, 패터닝(ArF-Immersion, EUV) 등이, 다각화 축에는 Wire-Bonding, Flip-Chip, 2.5D, 3D NAND, Si Photonics, Advanced Packaging (3DI/WLP)가 놓입니다. 오른쪽 위에는 Emerging Memory(STT-MRAM, ReRAM), 오른쪽 아래에는 New Material / New Structure가 표시됩니다. 출처는 [T. Kaitsuka, SEMI 2015].

교수님 설명

앞 슬라이드에서 본 미세화의 한계 이후, 반도체 기술은 두 갈래로 나뉜다고 설명하셨습니다. 하나는 More Moore로, 기존 무어의 법칙을 어떻게든 더 연장해 보려는 시도입니다. 다만 이 방향은 이제 거의 마무리 단계에 와 있다고 보셨습니다.

다른 하나는 More than Moore로, 무어의 법칙을 따르지 않는 새로운 접근입니다. 여기서 핵심은 패키징 기술입니다. 칩을 더 작게 만드는 대신, 여러 칩을 효율적으로 쌓고 연결하는 방식(예: HBM, 3D 적층, 어드밴스드 패키징)으로 성능을 끌어올리겠다는 것입니다. 새로운 메모리(Emerging Memory)와 새로운 물질·구조도 이 다각화 축에서 모색되고 있습니다.

보충 설명

직관적으로 보면, More Moore는 "같은 방향(수직 미세화)으로 더 깊이" 가는 것이고, More than Moore는 "방향 자체를 옆으로 틀어" 기능을 다각화하고 칩을 조립·적층하는 길입니다. 한쪽 축이 막히니, 산업이 다른 축으로 성장 동력을 옮겨 가고 있다고 이해하면 됩니다.

슬라이드 내용 정리

강의 전체의 목차 슬라이드입니다. 네 개의 항목이 있습니다: ① 반도체 산업 Trend, ② 로봇과 반도체의 만남(파란색으로 강조), ③ 로봇향 반도체 기술, ④ 반도체 소자 기술 방향. 두 번째 항목이 강조되어 있어, 지금부터 이 주제로 넘어간다는 표시입니다.

교수님 설명

여기까지가 첫 번째 장 '반도체 산업 Trend'의 마무리입니다. 핵심 결론은 두 가지로 정리됩니다. 첫째, 물리적 미세화(무어의 법칙)는 한계에 도달했고 산업의 무게중심이 데이터 중심으로 옮겨가면서 메모리·패키징이 부상하고 있다는 것. 둘째, 그 흐름의 정점에 AI와 로봇이 있다는 것입니다.

이제 강의는 두 번째 장인 '로봇과 반도체의 만남'으로 넘어갑니다. 데이터 중심 시대에 가장 많은 연산과 메모리를 요구하는 응용이 결국 피지컬 AI(휴머노이드 로봇)이며, 여기에 어떤 반도체 기술이 필요한지를 이어서 다루게 됩니다.

Part 4슬라이드 14~18

04무어의 법칙 종료와 포스트 무어

slide 14
슬라이드 14 · 로봇의 응용 — 고정 기계에서 자율 에이전트로
slide 15
슬라이드 15 · 로봇 속 반도체의 역할(해부학)
slide 16
슬라이드 16 · 엣지 브레인(On-Device)의 필요성
slide 17
슬라이드 17 · 휴머노이드 반도체의 생존 조건
slide 18
슬라이드 18 · 목차 — 다음 주제로의 전환
슬라이드 내용 정리

제목은 Application of Robot(로봇의 응용), 부제는 "공간의 로봇화: 고정된 기계에서 자율 에이전트로". 로봇의 활용 분야를 네 갈래로 나눕니다. ① 제조 및 산업 — 스마트 팩토리, 협동로봇, ② 이동 및 물류 — AMR, AGV, 라스트마일 배송, ③ 서비스 및 라이프스타일 — 홈 비서, 의료/수술 로봇, ④ 휴머노이드 — 범용 로봇, 이족 보행. 출처는 MarketsandMarkets, 2024.

교수님 설명

로봇이 더 이상 공장 한 자리에 볼트로 고정된 기계가 아니라, 스스로 판단하며 공간을 돌아다니는 자율 에이전트(autonomous agent)로 진화하고 있다는 큰 그림을 먼저 깔아 줍니다. 산업용 협동로봇에서 시작해 물류 창고의 무인 운반차, 가정·의료 서비스 로봇을 거쳐 결국 휴머노이드로 수렴한다는 흐름이죠.

교수님은 이 휴머노이드, 즉 피지컬 AI(Physical AI)를 반도체 기술이 향하는 궁극적인 목표로 제시합니다. 응용처가 늘어날수록 더 많은 반도체가 들어가고, 그래서 앞으로는 "로봇과 반도체가 함께 비즈니스의 중심이 될 것"이라는 전망을 강조합니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Role of Semiconductor in Robot(로봇 속 반도체의 역할), 부제 "로봇의 해부학: 실리콘으로 구현된 신경망과 근육". 사람 신체에 빗대어 4개 부위에 반도체를 매핑합니다. ① 두뇌: 연산 및 제어 — NPU, ASIC, GPU / AI 추론·의사결정·SLAM, ② 감각: 인지 및 센싱 — CIS, LiDAR, Radar / 시각 정보 수집과 주변 환경의 3D 맵핑, ③ 심장: 전력 관리 — PMIC(전력관리반도체) / 가동 시간 연장의 핵심, ④ 근육: 구동 및 제어 — MCU, 모터 드라이버 / 전기 신호를 물리적 운동으로 변환.

교수님 설명

로봇을 사람 몸처럼 해부해서 각 부위마다 어떤 반도체가 들어가는지 짚어 줍니다. 뇌 역할은 프로세서(MPU·NPU·GPU)가, 눈과 같은 센싱은 CIS(CMOS Image Sensor)와 LiDAR·Radar가 맡아 주변을 3D로 인식합니다. 전원을 효율적으로 배분하는 전력 반도체(PMIC)는 배터리로 움직이는 로봇의 가동 시간을 좌우하는 심장이고요.

움직임 제어 부분에서 교수님은 슬라이드의 MCU·모터 드라이버에 더해 MEMS도 언급합니다. MEMS는 실리콘 공정으로 만든 초소형 기계 부품(마이크로 머신)으로, 자이로·가속도 같은 미세한 움직임 감지와 제어를 담당합니다. 핵심은 로봇 한 대를 만들려면 연산·센싱·전력·구동 반도체가 한 세트로 다 필요하다는 점입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Need of Edge Brain(엣지 브레인의 필요성), 부제 "클라우드에서 온디바이스(On-Device)로의 진화". 왼쪽은 기존의 한계 — 클라우드 연결 지연(Latency), 네트워크 끊김 시 작동 불가, 보안 취약성. 오른쪽은 엣지 브레인(Edge Brain) — 외부 연결 없이 기기 내부에서 실시간 연산 및 판단, 네트워크 단절 시에도 작동(안정), 데이터 보안 강화, 저전력/저지연/즉응성.

교수님 설명

로봇이 머리(연산)를 클라우드에 의존하면 통신 지연 때문에 즉각 반응을 못 하고, 인터넷이 끊기면 멈춰 버리며, 데이터를 밖으로 내보내니 보안도 약해집니다. 그래서 연산을 로봇 자체에 심는 엣지 브레인, 즉 "온디바이스"로 가야 한다는 것이 이 슬라이드의 메시지입니다.

핵심은 클라우드 종속성에서 벗어나 로봇이 스스로 실시간으로 판단하게 만드는 것입니다. 그래야 통신 지연 없이 즉각 움직이고, 끊겨도 안정적으로 작동하며, 민감한 데이터를 기기 안에 묶어 둘 수 있습니다.

보충 설명

엣지(edge)란 데이터가 발생하는 현장(로봇·휴대폰·자동차) 쪽을 뜻하고, 그 반대가 멀리 떨어진 거대한 데이터센터인 클라우드(cloud)입니다. 자율주행이나 휴머노이드처럼 0.01초가 사고로 이어지는 일은 "물어보고 답 받는" 클라우드 방식이 구조적으로 위험해서, 연산을 현장으로 끌어오는 흐름이 필연적입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Requirement of Semiconductor for Humanoid, 부제 "로봇 반도체의 생존 조건". 아이콘 세 개로 핵심 요건을 정리합니다. ① 초저전력(Ultra-Low Power), ② 실시간(Real-Time), ③ 내구성(Durability).

교수님 설명

앞의 엣지 브레인 논의를 이어받아, 휴머노이드에 들어갈 반도체가 반드시 갖춰야 할 세 가지 조건을 못 박습니다. 첫째 초저전력 — 교수님은 휴대폰을 충전하듯 쓸 수 있는 약 5W 수준까지 전력을 낮춰야 한다고 구체적인 숫자를 들었습니다. 둘째 실시간성 — 지연 없이 즉각 동작해야 하고, 셋째 내구성 — 사람처럼 다양하고 거친 환경에서 끊임없이 움직여도 견뎌야 합니다.

이 세 조건이 "생존 조건"이라 불리는 이유는, 하나라도 못 맞추면 휴머노이드가 실용화될 수 없기 때문입니다. 저전력·실시간·내구성을 동시에 만족시키는 것이 곧 이후 강의에서 다룰 반도체 소자·구조 혁신의 출발점이 됩니다.

슬라이드 내용 정리

목차 슬라이드입니다. 전체 강의는 ① 반도체 산업 Trend, ② 로봇과 반도체의 만남, ③ 로봇 향 반도체 기술(파란색 강조), ④ 반도체 소자 기술 방향의 네 부분으로 구성됩니다. 파란색으로 강조된 "로봇 향 반도체 기술"이 방금까지 다룬 단원입니다.

교수님 설명

이 슬라이드는 내용 전달보다 단원 전환을 알리는 표지판 역할을 합니다. 로봇 향 반도체 기술(엣지 브레인·생존 조건 등)을 마무리하고, 이제 마지막 갈래인 반도체 소자 기술 방향으로 넘어간다는 신호죠.

이어지는 단원에서는 무어의 법칙 한계를 넘기 위한 실제 소자 혁신 — FinFET·GAAFET 같은 3D 트랜지스터 구조, 백사이드 파워(BSPDN), 3D NAND 적층 등 — 이 다뤄질 예정입니다. 즉 "왜 로봇에 더 좋은 반도체가 필요한가"에서 "그 반도체를 어떻게 만들 것인가"로 초점이 옮겨 갑니다.

Part 5슬라이드 19~22

05로봇·휴머노이드를 위한 반도체

slide 19
슬라이드 19 · 반도체 아키텍처의 방향: 폰 노이만 → 메모리 중심 → CIM·Brain-like
slide 20
슬라이드 20 · HBM 구조: DRAM 적층·TSV·인터포저
slide 21
슬라이드 21 · 왜 HBM인가: 딥러닝의 대역폭·용량
slide 22
슬라이드 22 · HBM 세대별 진화 (HBM1→HBM3E)
슬라이드 내용 정리

제목은 반도체 아키텍처의 발전 방향(Direction of Semiconductor Architecture). 왼쪽에서 오른쪽으로 갈수록 진화한 형태입니다. 출발점은 폰 노이만 기반(Von Neumann-based)으로, 연산부(Compute)와 메모리(Memory, DRAM)가 완전히 분리되어 있습니다.

중간 단계는 메모리 중심 하이브리드(Memory-Centric Hybrid)입니다. HBM(High Bandwidth Memory)은 연산부 옆에 고대역폭 메모리를 붙이고, PNM(Process Near Memory)은 메모리 바로 옆에 연산을 둡니다. 오른쪽은 워크로드 기반 포스트 폰 노이만(Workload-Driven Post Von Neumann) 단계로, PIM(Process In Memory)은 메모리 안에 연산을 넣고, CIM(Compute In Memory)은 연산과 메모리를 한 칩에서 구분이 안 될 만큼 통합하며, 최종적으로 Brain-like(뇌 모방)로 향합니다. 하단에는 메모리 혁신 → 메모리 커스터마이징·융합·변형(Customizing / Converging / Transforming)이라는 흐름이 적혀 있습니다.

교수님 설명

로봇과 휴머노이드에 들어가는 반도체는 역할별로 나뉩니다. 뇌 역할은 MPU(프로세서), 눈에 해당하는 센싱은 CIS(CMOS Image Sensor), 전력 관리는 전력 반도체, 그리고 움직임 제어는 실리콘 공정 기반의 MEMS가 담당합니다. 다만 휴머노이드가 진짜로 사람처럼 동작하려면 까다로운 조건이 붙습니다. 클라우드에 의존하지 않고 자체적으로 연산하는 엣지 브레인(Edge Brain), 휴대폰을 충전하듯 쓸 수 있는 5W 수준의 저전력, 지연 없는 실시간성, 그리고 다양한 환경을 견디는 내구성이 그것입니다.

이 조건을 막는 근본 원인이 바로 폰 노이만 구조입니다. CPU와 메모리가 떨어져 있어 데이터를 주고받을 때마다 전력이 소모되고 시간 지연이 생기기 때문입니다. 그래서 슬라이드처럼 메모리와 연산을 점점 가깝게 붙이는 방향으로 발전합니다. HBM은 데이터가 다니는 통로(IO)를 1024개로 늘려 효율을 높였고, 그 다음으로 메모리 옆(PNM)·메모리 안(PIM)·같은 칩(CIM)으로 연산을 끌어옵니다.

궁극적인 목표는 오른쪽 끝의 Brain-like, 즉 뇌처럼 연산과 저장을 동시에 수행하는 구조입니다. 뇌는 적은 전력으로 엄청난 양의 정보를 빠르게 처리하는데, 휴머노이드의 엣지 브레인·5W·실시간 요구를 만족시키려면 결국 이 방향으로 가야 한다는 것이 핵심입니다.

슬라이드 내용 정리

HBM(High Bandwidth Memory)의 단면 구조도입니다. 위쪽에 DRAM 칩(셀, Cell)이 여러 층 쌓여 있고, 각 층은 TSV(Through Silicon Via)라는 수직 관통 배선으로 연결됩니다. 칩 사이는 마이크로 범프(Micro bump)로 접합되어 있습니다.

맨 아래 DRAM 적층 아래에는 로직 베이스(Logic base)·로직 칩(Logic chip)과 신호 입출력을 담당하는 PHY 영역(PHY area)이 있고, 그 아래에는 미세 배선을 위한 인터포저(Interposer), 그리고 PKG substrate(패키지 기판)가 차례로 깔립니다. 외부 연결은 범프(Bump)PKG ball로 이루어집니다. (출처: SK하이닉스)

교수님 설명

HBM은 별도의 새로운 메모리가 아니라 DRAM의 한 종류입니다. SSD가 NAND로 만들어지는 것과 같은 관계라고 보면 됩니다. 핵심 기술은 칩을 위로 쌓고 연결하는 TSV입니다. 깊이 약 30마이크로, 크기 약 5마이크로의 구멍을 뚫고 구리(카파)로 채워 위아래 칩을 수직으로 연결합니다.

HBM이 저전력이면서 고대역폭을 동시에 달성하는 비결이 바로 이 구조입니다. 핀 하나당 속도는 일부러 낮춰서 전력 소모를 줄이는 대신, IO(통로)를 1024개 이상으로 어마어마하게 늘려 전체 대역폭을 확보합니다. 다만 대가가 있습니다. 적층 때문에 일반 DRAM 대비 칩 크기가 1.5배 커져 웨이퍼당 생산량이 줄고, 여러 단을 쌓으니 4단이면 칩 4개 값이 들어 단가가 비쌉니다. 미세 배선을 위한 인터포저도 실리콘 기반이라 만들기 어렵고 비용이 높습니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Why HBM?(왜 HBM인가). 딥러닝에서는 데이터 대역폭(bandwidth)과 용량(capacity)이 핵심이라고 말합니다. HBM은 GDDR6 대비 용량 6배, 속도 6.1배가 높고, 폼팩터(차지하는 크기)도 작습니다.

아래 비교가 직관적입니다. GDDR6 12개를 GPU에 붙이면 총용량 24GB, 총대역폭 768GB/s입니다. 반면 HBM3E 4개면 총용량 144GB, 총대역폭 4710GB/s로 압도적입니다. 더 적은 칩 수로 훨씬 큰 용량과 대역폭을 낸다는 의미입니다.

교수님 설명

반도체 산업의 큰 흐름이 컴퓨터 중심에서 데이터 중심(Compute-centric → Data-centric)으로 넘어가면서 메모리 수요가 폭발했습니다. 알파고 사례가 상징적인데, 일반 PC는 CPU 대비 메모리 비용이 1/10 수준이지만 알파고 시스템에서는 메모리 비용이 CPU의 1.5배에 달했습니다. AI 시스템에서 메모리 비중이 그만큼 커진 것입니다.

이 슬라이드의 숫자가 그 이유를 보여줍니다. 딥러닝은 방대한 데이터를 빠르게 옮겨야 하므로 대역폭과 용량이 곧 성능입니다. GDDR6를 12개 붙여도 HBM3E 4개를 못 따라가니, AI 가속기에는 HBM이 사실상 필수가 됩니다. 하이닉스가 HBM으로 큰 수익을 올린 것도 시장을 먼저 선점했기 때문이라는 점이 함께 강조됩니다.

슬라이드 내용 정리

같은 Why HBM? 주제로, 고밀도·고속·고성능·저전력을 추구할수록 설계 복잡도(Design Complexity)는 올라간다는 부제가 붙은 세대별 표입니다. 가로축은 HBM1(ISSCC 2014) → HBM2(2018) → HBM2E(2020) → HBM3(2022) → HBM3E(2024)입니다.

주요 항목 변화: 슬라이스당 밀도(Density)는 2Gb→8Gb→16Gb→16Gb→24Gb, 대역폭(Bandwidth)은 128 → 307.2 → 409.6 → 891.2 → 1177.6 GB/s로 증가합니다. 핀당 속도(Per pin speed)는 1 → 2.4 → 3.2 → 6.4 → 9.2 Gbps입니다. 채널 IO는 초기 8CH x 128 IO (1024)에서 HBM3부터 16CH x 64 IO (1024)로 채널 수가 두 배로 늘었습니다. 인터페이스도 CMOS Rail-to-Rail에서 HBM3부터 Low Voltage Swing(저전압 스윙)으로 바뀌고, 공급 전압(Supply)도 VDDQ 1.2V에서 VDDQ 0.4V로 낮아집니다.

교수님 설명

이 표를 관통하는 원리가 있습니다. 핀 하나당 속도를 무작정 올리면 열이 너무 발생하기 때문에, 속도를 마냥 높이는 대신 채널과 IO 수를 늘려서 전체 대역폭을 키우는 방향으로 갑니다. HBM3에서 채널이 8개에서 16개로 두 배가 된 것이 그 신호입니다. 앞으로 HBM4는 IO를 2048개로 또 늘리면서 핀당 속도는 오히려 낮추는 식으로 갈 전망입니다.

전력 측면에서는 Low Voltage Swing과 공급 전압 인하가 핵심입니다. 데이터를 표현하는 전압의 진폭(스윙)을 줄이면 그만큼 전력 소모가 줄어듭니다. 표에서 VDDQ가 1.2V에서 0.4V로 떨어진 것이 바로 이 저전력 설계입니다.

다만 마지막 부제처럼, 더 높은 밀도·속도·저전력을 한꺼번에 잡으려 할수록 설계와 공정 난이도는 계속 올라갑니다. 더 먼 미래의 HBM5·HBM6는 전기 배선의 한계를 넘기 위해 광통신 기반 배선과, 범프를 아예 없애는 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)까지 도입하는 방향으로 연구되고 있습니다.

Part 6슬라이드 23~26

06폰 노이만 한계와 차세대 아키텍처

slide 23
슬라이드 23 · 반도체 아키텍처의 진화 방향 (HBM→PNM→PIM→CIM→Brain-like)
slide 24
슬라이드 24 · PNM, 메모리 근처에 연산기를 두는 구조 (CXL 기반)
slide 25
슬라이드 25 · PIM, DRAM 내부에 연산 유닛을 내장
slide 26
슬라이드 26 · NPU 관점에서 본 GPU 분리형 구조의 병목
슬라이드 내용 정리

제목은 반도체 아키텍처의 진화 방향(Direction of Semiconductor Architecture)입니다. 왼쪽에서 오른쪽으로 갈수록 연산과 메모리가 점점 더 가까워지는 흐름을 한 장에 담았습니다.

  • 폰 노이만 기반(Von Neumann-based) — 현재(Current)의 HBM: 연산(Compute)과 메모리(DRAM/HBM)가 분리되어 있고, 통로(IO)를 넓혀 데이터 이동 효율만 높인 단계.
  • 메모리 중심 하이브리드(Memory-Centric Hybrid)PNM(Process Near Memory, 메모리 옆에 연산기)과 PIM(Processing In Memory, 메모리 안에 연산기).
  • 워크로드 주도 포스트 폰 노이만(Workload-Driven Post Von Neumann)CIM(Compute In Memory, 연산과 메모리가 한 칩에 통합)과 Brain-like(뇌처럼 연산·저장을 동시에).

아래 띠에는 Memory InnovationMemory Customizing / Converging / Transforming이라고 적혀, "메모리가 단순 저장 장치에서 연산하는 장치로 변신한다"는 큰 방향을 요약합니다.

교수님 설명

지금까지의 컴퓨터는 모두 폰 노이만(Von Neumann) 구조, 즉 CPU(연산)와 메모리(저장)가 따로 떨어져 있는 방식입니다. 문제는 데이터를 그 둘 사이에서 끊임없이 실어 나르는 데 있습니다. 이 이동 자체가 전력을 잡아먹고 시간 지연을 만듭니다. HBM이 통로(IO)를 1024개까지 늘린 것도 결국 "이동을 더 빠르게" 하려는 시도일 뿐, 이동을 없애지는 못합니다.

그래서 발상을 바꿉니다. 데이터를 옮기는 대신 연산을 메모리 쪽으로 가져가자는 것이죠. 그 거리에 따라 단계가 나뉩니다. 메모리 바로 옆에 두면 PNM, 메모리 칩 안에 넣으면 PIM, 아예 같은 소자에서 저장과 연산을 구분 없이 하면 CIM, 그리고 뇌처럼 저장과 연산이 본질적으로 한 몸이면 Brain-like가 됩니다.

핵심 메시지는 산업의 키워드가 컴퓨터 중심에서 데이터 중심(Computer-centric → Data-centric)으로 옮겨갔다는 점입니다. 처리할 데이터가 폭증하면서, 데이터를 어떻게 덜 움직이느냐가 곧 전력과 속도를 결정하게 된 겁니다.

보충 설명

비유하자면 폰 노이만 구조는 "주방(메모리)과 식탁(CPU)이 멀리 떨어진 식당"입니다. 음식을 나르는 종업원(데이터 버스)이 아무리 빨라도, 손님이 많아지면 복도가 막히고 음식이 식습니다. PIM·CIM은 "식탁 위에서 바로 요리하는" 발상으로, 나르는 일 자체를 없애 전력과 지연을 동시에 줄입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 PNM (Processing Near Memory)입니다. 설명문에는 "PNM은 PIM처럼 CPU와 메모리 사이의 데이터 이동을 줄이며, 처리 유닛은 컨트롤러 칩이나 DRAM 패키지/DRAM on-chip에 위치할 수 있다"고 적혀 있습니다.

그림은 CXL 메모리 확장기(Type 3)를 기반으로 두 가지 형태를 보여줍니다.

  • CXL-PNM on CXL Controller (현재 프로토타입, Current Prototype) — CXL 컨트롤러 안에 연산 유닛을 넣는 방식.
  • CXL-PNM on Device Memory (향후 계획, Further Plan) — 디바이스 메모리(Device Memory) 쪽으로 연산을 더 가까이 옮기는 방식.
교수님 설명

PNM은 연산기를 메모리 "안"이 아니라 "근처"에 두는 절충안입니다. 메모리 공정 안에 로직을 욱여넣기는 어려우니, 메모리 옆에 있는 컨트롤러나 패키지 단에 연산 회로를 붙이는 거죠. 그래서 메모리 칩 자체는 거의 손대지 않으면서도 데이터 이동 거리를 크게 줄일 수 있습니다.

특히 이 구조는 CXL 환경에서 빛을 봅니다. CXL은 CPU에 메모리를 유연하게 확장·공유할 수 있게 해주는 인터페이스인데, 이 확장 메모리(CXL Memory Expander) 모듈 안에 연산기를 넣으면 호스트 CPU를 거치지 않고도 메모리 근처에서 데이터를 처리할 수 있습니다.

보충 설명

CXL(Compute Express Link)은 CPU·GPU·메모리를 고속으로 잇는 표준 인터페이스로, 메모리를 카드처럼 꽂아 늘리는 "메모리 풀링"을 가능하게 합니다. PNM은 바로 이 확장 메모리 카드 위에 연산기를 얹어, 멀리 있는 CPU까지 데이터를 보내지 않고 그 자리에서 처리하는 그림입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 PIM (Processing in Memory)이고, 핵심 효과가 세 줄로 정리되어 있습니다.

  • DRAM 내부 연산을 통해 Memory-Bound 연산의 성능(Performance)과 에너지 효율(Energy Efficiency) 향상.
  • DRAM 내 PIM 유닛Bank-level Parallelism 활용으로 유효 대역폭(Effective Bandwidth) 4~8배 증가.
  • 호스트와 DRAM 간 데이터 이동 감소로 System Energy 감소.

오른쪽 박스에는 PIM 유닛 구성이 적혀 있습니다 — 16개의 FP16 곱셈기·덧셈기 쌍, 레지스터 파일(CRF / GRF / SRF), 그리고 fetch·decode를 담당하는 PIM 유닛 컨트롤러. 결과 그래프는 시스템 성능 2배(2X), 시스템 에너지는 70% 수준으로 줄어듦을 보여줍니다.

교수님 설명

PIM은 메모리 칩 내부에 직접 연산 회로를 박아 넣는 방식입니다. 데이터를 CPU까지 끌고 갈 필요 없이 DRAM 안에서 바로 곱하고 더하니, 이동에 들던 전력과 시간이 통째로 사라집니다. 슬라이드의 HBM-PIM이 그 대표 사례로, 여러 뱅크(Bank)에서 동시에 연산하는 뱅크 수준 병렬성 덕분에 체감 대역폭이 몇 배로 뛰는 겁니다.

다만 공짜는 아닙니다. 메모리는 메모리 공정으로, 로직은 로직 공정으로 최적화되어 있는데, 이 둘을 한 칩에 섞으면 양쪽 다 성능이 떨어지는 통합의 어려움이 생깁니다. 그래서 PIM은 모든 연산이 아니라 데이터 이동이 병목인 메모리 바운드(Memory-Bound) 연산, 특히 AI의 행렬·벡터 연산에 특화해 효과를 냅니다.

보충 설명

메모리 바운드란 "계산 자체보다 데이터를 가져오는 데 시간이 더 걸리는" 상황을 말합니다. AI 추론은 거대한 가중치를 끊임없이 읽어야 해서 전형적인 메모리 바운드 작업이고, 그래서 데이터를 옮기지 않는 PIM이 가장 잘 맞습니다. FP16은 16비트 부동소수점으로, 정밀도를 약간 낮춰 더 많은 연산기를 좁은 면적에 욱여넣고 전력도 아끼는 AI용 데이터 형식입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 NPU (Neural Process Unit)이고, 부제는 "GPU 아키텍처: 분리형 구조의 치명적 한계"입니다. 그림은 수천 개 코어를 가진 연산부(Compute Unit)메모리(Memory)가 좁은 통로 하나로만 연결된 모습을 보여줍니다.

중앙 메시지: "수천 명의 일꾼이 좁은 다리 하나를 두고 데이터를 가져오는 구조." 아래 세 줄로 한계를 짚습니다.

  • 분리형 구조: 연산부(ALU)와 메모리가 물리적으로 분리됨.
  • 데이터 병목현상(Bottleneck): 대규모 AI 연산이 끊임없이 데이터를 주고받아 트래픽 체증 발생.
  • 결과: 막대한 전력 소모 및 응답 지연(Latency) 발생.
교수님 설명

이 슬라이드는 왜 새로운 칩이 필요한지를 GPU의 약점으로 설명합니다. GPU는 수천 개의 코어를 가져 병렬 연산에는 강하지만, 그 많은 코어가 결국 좁은 데이터 통로 하나로 메모리에 접근해야 합니다. 일꾼은 수천 명인데 자재를 나르는 다리는 하나뿐인 셈이라, 연산력이 아무리 좋아도 데이터를 못 받아 놀게 됩니다. 이게 데이터 병목(Bottleneck)이고, 막대한 전력과 지연으로 이어집니다.

그래서 등장한 것이 NPU(Neural Processing Unit)입니다. AI에 흔한 행렬 연산에 특화한 프로세서로, GPU가 모델을 학습시키는 데 강하다면 NPU는 학습된 결과를 적용하는 추론에 강합니다. 핵심 차이는 NPU가 연산 모듈마다 메모리를 가까이 내장해, 데이터를 멀리서 끌어오지 않고 즉각 처리한다는 점입니다. 결국 이번 섹션 전체의 메시지 — "데이터를 옮기지 말고 연산을 데이터 옆으로 가져가라" — 와 같은 방향입니다.

보충 설명

휴머노이드 같은 피지컬 AI에서는 이 차이가 결정적입니다. 클라우드에 의존하지 않는 엣지 브레인(자체 연산), 휴대폰 충전 수준인 5W 저전력, 지연 없는 실시간성이 동시에 요구되는데, 분리형 GPU 구조로는 전력·지연을 감당하기 어렵습니다. 그래서 NPU·PIM·뉴로모픽처럼 연산과 메모리를 붙이는 방향이 로봇 시대의 필수 기술로 꼽히는 것입니다.

Part 7슬라이드 27~30

07HBM 심층: 구조·공정·로드맵

slide 27
슬라이드 27 · NPU vs GPU 구조 비교
slide 28
슬라이드 28 · 뉴로모픽: 두뇌를 모사한 반도체
slide 29
슬라이드 29 · 이종 컴퓨팅(CPU·GPU·NPU)
slide 30
슬라이드 30 · 목차(Trend·로봇·PPAC)
슬라이드 내용 정리

제목은 NPU(Neural Processing Unit, 신경망 처리 장치). 왼쪽에는 GPU(Graphics Processing Unit), 오른쪽에는 NPU 구조도가 나란히 그려져 있고, NPU 쪽에는 연산 블록 사이사이에 On-chip Memory(칩 내장 메모리)가 배치되어 있습니다.

본문 요점:

  • NPU는 인공 신경망 연산에 불필요한 기능을 모두 제거한 프로세서다.
  • 오직 행렬 곱셈(matrix multiplication)과 딥러닝 알고리즘 가속에만 집중하여, 압도적인 전성비(전력 대비 성능, power efficiency)를 달성한다.
교수님 설명

NPU는 AI 연산, 특히 신경망의 핵심인 행렬 연산에 특화된 프로세서라고 설명하셨습니다. GPU가 원래 그래픽용 범용 병렬 연산 장치인 데 비해, NPU는 군더더기를 덜어내고 딥러닝 연산만 빠르게 처리하도록 설계되어 같은 전력으로 더 많은 AI 연산을 처리합니다.

역할 구분도 중요한 포인트였습니다. GPU는 학습(training)에 강점이 있고, NPU는 학습된 모델을 적용하는 추론(inference)에 강점이 있다고 하셨습니다. 또한 NPU는 슬라이드 그림처럼 연산 모듈마다 메모리를 가까이 내장해 두어, 데이터를 멀리서 끌어오지 않고 즉각 처리할 수 있다는 점을 강조하셨습니다. 이것이 데이터 이동에서 생기는 전력·지연 문제를 줄이는 핵심 아이디어입니다.

보충 설명

딥러닝 연산은 사실상 거대한 행렬 곱셈의 반복입니다. 그래서 "범용성"을 포기하고 행렬 곱셈 회로만 잔뜩 깔면 같은 전력으로 훨씬 높은 성능이 나옵니다 — 스마트폰의 얼굴 인식, 음성 비서 같은 기능이 배터리를 거의 안 먹으면서 즉각 도는 이유가 바로 이런 NPU 덕분입니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Neuromorphic(뉴로모픽). 부제는 "인간 Brain vs. Silicon chip — 인간 두뇌를 모사하는 AI가 Silicon Chip으로 구현됨"입니다.

  • 왼쪽: 뇌의 시냅스(Synapse)·뉴런(Neuron)을 실리콘 소자로 매핑(Mapping)하여 FeRAM·RRAM·PCRAM·MRAM 같은 저항성 메모리로 구현 → Neuro-inspired Computing. 특징으로 저전력(Low Power), 고속(High Speed), 고신뢰성(High Reliability), 작은 면적(Small Footprint), 가변 전도도(Tunable Conductance)가 적혀 있습니다.
  • 가운데: 신경망의 뉴런 구조(입력 → Activation function → 출력, Bias 포함)와 Face ID·Autopilot 같은 응용.
  • 오른쪽: 다층퍼셉트론(MLP, Multi-Layered Perceptrons) — Input/Hidden/Output Layer와 역전파(Backpropagation) 학습 개념.
교수님 설명

뉴로모픽 반도체는 인간의 뇌를 직접 모방하는 칩이라고 설명하셨습니다. 뇌의 뉴런과 시냅스는 연산·기억·신호 전달을 동시에 한 자리에서 수행하는데, 뉴로모픽 소자도 이를 흉내 내어 연산과 저장을 분리하지 않습니다. 시냅스의 "연결 강도"는 저항성 메모리(ReRAM, PRAM, MRAM)의 저항 값을 바꿔 가며 구현하는데, 이렇게 저항을 조절할 수 있다는 점(가변 전도도)이 시냅스 역할의 핵심입니다.

가장 큰 장점은 저전력입니다. 뇌가 필요한 순간에만 신경을 발화하듯, 뉴로모픽 칩도 필요할 때만 작동해 전력을 거의 쓰지 않습니다. 다만 한계도 분명히 짚으셨는데, AI 연산(패턴 인식 등)에는 강하지만 범용 연산에는 적합하지 않다는 점입니다. 그래서 모든 칩을 대체하기보다 특정 용도에 특화된 형태로 쓰이게 됩니다.

보충 설명

기존 폰 노이만 구조는 CPU와 메모리가 떨어져 있어 데이터를 왔다 갔다 옮기는 데 전력·시간을 다 씁니다(이른바 "폰 노이만 병목"). 뉴로모픽은 이 이동 자체를 없애려는 발상으로, 뇌처럼 "기억하는 자리에서 바로 계산"합니다. 인간 뇌가 약 20W로 슈퍼컴퓨터급 인지를 해내는 효율을 실리콘으로 좇는 시도라고 보면 됩니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 Heterogeneous Computing(이종 컴퓨팅). 하나의 칩 위에 CPU·GPU·NPU가 함께 올라간 그림과 함께 "다가오는 미래는 이종 컴퓨팅"이라고 적혀 있습니다.

  • 칩들은 서로를 완전히 대체하는 것이 아니라, 각자의 장점을 살려 협력한다.
  • 복잡한 논리·제어는 CPU가 관리하고,
  • 무거운 범용 프로그램이나 모델의 학습은 GPU가 담당하며,
  • 실시간으로 빠르고 효율적인 AI 기능 실행은 NPU가 도맡는다.
  • 이제는 "어떤 워크로드를 누구에게 맡길지" 역할 분담을 최적화하는 하나의 거대한 칩(SoC, System on Chip) 구조가 표준이 된다.
교수님 설명

이 슬라이드는 앞서 다룬 CPU·GPU·NPU 이야기를 하나로 묶는 결론에 해당합니다. 어느 한 종류의 프로세서가 다른 것을 완전히 밀어내는 것이 아니라, 각자 잘하는 일을 분담한다는 것이 핵심 메시지입니다. 직렬적이고 복잡한 제어 흐름은 CPU, 대규모 병렬 학습은 GPU, 전성비가 중요한 실시간 추론은 NPU가 맡는 식입니다.

그래서 미래의 칩은 이 세 가지를 한 다이(die) 안에 통합한 SoC 형태로 가고, 설계의 핵심은 "연산을 어떤 엔진에 배정해 전체 효율을 최대로 끌어올릴 것인가"가 됩니다. 이는 무어의 법칙 둔화 이후, 미세화 대신 패키징과 구조(More than Moore)로 성능을 끌어올리는 흐름과 맞닿아 있습니다.

슬라이드 내용 정리

제목은 목차. 강의의 큰 줄기를 네 가지로 제시합니다.

  • 반도체 산업 Trend
  • 로봇과 반도체의 만남
  • 로봇 향 반도체 기술
  • 반도체 소자 기술 방향 (PPAC) — 파란색으로 강조
교수님 설명

강의 전체를 관통하는 네 개의 축을 정리한 목차 슬라이드입니다. 산업 트렌드(데이터 중심으로의 전환, 막대한 투자와 수요 증가)에서 시작해, 로봇(휴머노이드, 피지컬 AI)이라는 응용을 매개로 반도체 기술이 어디로 향하는지를 살펴보고, 마지막에 소자 기술의 방향성을 PPAC으로 정리하겠다는 흐름입니다.

여기서 PPAC은 반도체 발전이 동시에 추구하는 네 가지 목표 — Power(전력) 감소, Performance(성능) 향상, Area(면적) 축소, Cost(비용) 절감 — 을 가리킵니다. 스케일링이 한계에 다다른 지금은 이 네 가지를 한꺼번에 만족시키기가 어려워, 핀펫·GAAFET, 백사이드 파워, 3D 적층, HBM 같은 새로운 기술들이 각각의 항목을 메우러 등장한다는 점이 이후 내용의 핵심입니다.

Part 8슬라이드 31~35

08소자·메모리 기술 진화와 미래

slide 31
슬라이드 31 · Performance: 스케일링·신소재에서 3D 구조로
slide 32
슬라이드 32 · Power: 3D 채널로 게이트 제어력 향상
slide 33
슬라이드 33 · Area: 2D 평면에서 3D 공간(뒷면)으로
slide 34
슬라이드 34 · Cost: 수평 스케일링에서 수직 적층(3D NAND)으로
slide 35
슬라이드 35 · Co-Roadmap: 완전 자율을 향한 진화
슬라이드 내용 정리

Performance — "Move from Scaling + New Material to 3D Structure(스케일링·신소재에서 3D 구조로 이동)". 가로축은 연도(Year), 세로축은 Design Rule(설계 규칙, nm)로, 50년에 걸친 미세화 곡선을 보여줍니다.

초기에는 실리콘 채널(Si channel)conventional scaling(전통적 스케일링)을 진행: 90nm 스트레스 라이너(stress liner) → 65nm GL HK/MG·eSiGe S/D → 45nm32nm GF HK/MG → 28nm20nm까지 이어집니다. 이후 tweaked scaling(변형된 스케일링) 구간에서 14/10/7nm3D-FinFET(GL HK/MG)이 등장하고, 5nm·4/3nm에서 "New channel?(새 채널)"로 이어지는 미래가 표시됩니다. 곡선 위쪽은 PC 시대, 아래쪽은 모바일 시대로 구분됩니다.

교수님 설명

소자 기술은 결국 PPA(Power·Performance·Area)를 동시에 끌어올리려는 싸움입니다. 성능(Performance) 향상의 첫 무기는 채널 길이 축소였고, 한계가 오자 새로운 물질(new material)스트레스 엔지니어링(stress engineering)으로 캐리어 이동도를 높였습니다. 슬라이드의 90nm 스트레스 라이너, 65nm의 eSiGe 소스/드레인이 그 사례입니다.

그런데 채널이 20nm 이하로 짧아지면 게이트가 채널을 제대로 못 잡아 숏채널 이펙트(short-channel effect)가 심해집니다. 평면(planar) 구조의 2차원 미세화만으로는 더 못 버티니, 채널을 세워 입체로 만드는 3D 구조로 패러다임이 넘어간 것이 이 곡선의 핵심 메시지입니다. 즉 "스케일링 + 신소재 → 3D 구조"라는 진화의 흐름입니다.

슬라이드 내용 정리

Power — "Improvement of Gate Control by 3D Channel(3D 채널을 통한 게이트 제어력 향상)". 왼쪽부터 게이트가 채널을 감싸는 정도가 커지는 세 구조: Planar FET(평면, 1면) → FinFET(지느러미 형태, 3면) → MBCFET™ (Nanosheet)(나노시트, 4면 전부 감쌈).

오른쪽 그래프는 가로축 Vth(문턱 전압, V), 세로축 log(Ioff). Planar에서 FinFET으로 가면 같은 누설전류 기준에서 약 +110mV의 Vth 여유(곡선 약 6% 개선)가 생겨, 더 낮은 전압에서 동작 가능함을 보여줍니다.

교수님 설명

전력(Power)을 줄이는 핵심은 게이트 제어력입니다. FinFET은 게이트가 채널을 3면에서 감싸고, GAAFET(Gate-All-Around, 삼성은 MBCFET·나노시트로 부름)은 4면을 전부 감쌉니다. 감싸는 면이 많을수록 게이트가 채널을 더 단단히 통제해 누설(leakage)을 억제합니다.

게이트 제어력이 좋아지면 VT(문턱 전압)를 낮출 수 있고, VT가 낮아지면 동작 전압이 내려가 결국 전력 소모가 줄어듭니다. 함께 저유전율(low-k) 물질에어갭(air gap)을 적용해 기생 커패시턴스까지 줄이면 전력·속도가 더 개선됩니다. 그래프의 110mV 여유가 바로 이 "더 낮은 전압에서 켜고 끌 수 있다"는 이득을 정량적으로 보여주는 것입니다.

보충 설명

비유하자면 호스를 손가락 하나(평면)로 누르는 것보다 손 전체로 감싸 쥐는(GAA) 편이 물 흐름을 훨씬 정확히 막거나 흘릴 수 있는 것과 같습니다. 트랜지스터에서 "물"은 전류, "손"은 게이트입니다. 감싸는 면적이 클수록 적은 전압으로도 확실히 ON/OFF가 되어, 누설은 줄고 전력은 절약됩니다.

슬라이드 내용 정리

Area — "2D Space Scaling → Finding 3D Space(평면 면적 축소에서 3D 공간 찾기로)". 왼쪽은 Front-side(앞면)pitch scaling(배선 간격 축소)이 둔화되자, Back-side(뒷면) 공간을 활용한다는 개념도입니다.

오른쪽 그래프는 가로축 연도(2012~2032), 세로축 정규화 셀 높이(Norm. Cell Height). 시간이 갈수록 FinFET → MBCFET™ → 3DSFET로 진화하며 셀 높이가 낮아지고, 마지막에 Back-side interconnect(뒷면 배선)이 등장합니다. 출처: B. S. Kim et al., VLSI 2024.

교수님 설명

면적(Area)을 줄이려면 칩 한 셀의 높이·폭을 계속 좁혀야 하는데, 배선 간격(pitch) 축소가 한계에 부딪혔습니다. FinFET보다 GAAFET(MBCFET)이 면적 효율이 좋지만 그것만으로는 부족합니다.

그래서 나온 해법이 BSPDN(Back-Side Power Delivery Network, 백사이드 파워 딜리버리)입니다. 지금까지 앞면에 뒤섞여 있던 전원선(power line)을 웨이퍼 뒷면으로 옮기면, 앞면에는 신호선(signal line)만 남아 공간에 여유가 생기고 그만큼 면적을 더 줄일 수 있습니다. 삼성은 3nm에서 MBCFET, 2nm에서 BSPDN을 적용하며 기술 리더십을 보여주고 있습니다.

슬라이드 내용 정리

Cost — "Lateral Scaling → Vertical Stacking(수평 스케일링에서 수직 적층으로)". 왼쪽은 평면 셀의 수평 미세화 한계를, 가운데는 3D NAND 셀 구조(Bit Line Selector, Channel, Control Gate, Charge Trap, Source Line Selector)를 입체로 보여줍니다.

오른쪽: "Gate Stacks & Bit Density increase by more than 10 times(게이트 적층 수와 비트 밀도가 10배 이상 증가)". Planar24단(1G) → ×102xx단(8G)으로 단수와 용량이 폭발적으로 증가합니다.

교수님 설명

메모리(NAND)도 수평으로만 좁히면 셀 간 간섭이 심해져 한계에 부딪힙니다. 그래서 셀을 수직으로 쌓아 올리는 3D NAND로 전환했고, 현재 200단 이상까지 적층합니다. 같은 면적에 더 많은 비트를 넣으니 비트당 비용(Cost)이 내려갑니다.

다만 공정 난이도가 높습니다. 수직으로 깊은 채널 홀(channel hole)을 뚫고 그 안을 균일하게 메탈로 채워야 해서 공정 비용과 수율 관리가 까다롭습니다. 이런 수직 적층 흐름은 NAND에서 검증되었고, 이제 DRAM도 스택 DRAM·3D DRAM 형태로 같은 방향을 연구 중입니다.

슬라이드 내용 정리

Co-Roadmap — "미래 로드맵: 완전 자율을 향한 진화". 3단계로 발전합니다. ①Automated(자동화): 반복 작업, CPU/GPU 기반. ②Autonomous(자율화): 엣지 판단, NPU/On-Device AI. ③Social & Collaborative(상호작용): 인간 교감, 뉴로모픽/생체 모방 컴퓨팅.

교수님 설명

마무리 메시지는 로봇과 반도체가 미래 비즈니스의 중심이 된다는 것입니다. 로봇은 단순 자동화(정해진 반복 작업) → 스스로 판단하는 자율화(클라우드에 의존하지 않는 엣지 브레인, On-Device AI) → 사람과 교감하는 상호작용 단계로 진화하며, 단계가 올라갈수록 요구되는 반도체 기술도 CPU/GPU에서 NPU, 나아가 뇌를 모방한 뉴로모픽으로 고도화됩니다.

그 과정에서 PPA를 동시에 만족시키기가 점점 어려워져, 용도별로 특화된 메모리(HBM, LP 시리즈 등)가 갈라져 발전합니다. 물리적 한계는 결국 다른 발상(different thinking)으로 돌파해야 하며, 스케일링 한계로 인한 팹 증설 가속은 역설적으로 그만큼 고용 기회 증가로 이어진다는 점이 산업 전망의 결론입니다.

보충 설명

이번 섹션 전체를 PPA 프레임으로 묶으면 이해가 쉽습니다. Performance는 신소재·3D 구조로(슬라이드 31), Power는 게이트 제어력으로(32), Area는 뒷면 활용 BSPDN으로(33), Cost는 수직 적층으로(34) 각각 개선합니다. 즉 평면에서 막힌 모든 지표를 3차원 공간을 새로 쓰는 방식으로 우회하는 것이 현대 반도체 기술 진화의 공통된 전략이며, 그 종착점이 슬라이드 35의 자율 로봇(피지컬 AI)입니다.

용어표 · English ↔ 한글

English
한글
의미
IDM (Integrated Device Manufacturer)
종합 반도체 기업
설계와 제조를 모두 수행하는 기업 (예: 인텔, 삼성 메모리)
Foundry
파운드리
설계도를 받아 제조만 전문으로 하는 위탁생산 기업 (대표: TSMC)
PPAC
전력·성능·면적·비용
스케일링이 추구하는 4대 개선 지표 (Power·Performance·Area·Cost)
Moore's Law
무어의 법칙
2년마다 칩 내 소자 수가 2배로 증가한다는 경험칙, 현재 종료 단계
More than Moore
모어 댄 무어
미세화 대신 패키징 등 새로운 방식으로 성능을 높이는 접근
Von Neumann Architecture
폰 노이만 구조
CPU와 메모리가 분리되어 데이터 이동에 전력·지연이 발생하는 전통 구조
HBM (High Bandwidth Memory)
고대역폭 메모리
적층 DRAM으로 많은 IO를 통해 저전력·고대역폭을 동시에 달성
TSV (Through Silicon Via)
실리콘 관통전극
칩을 수직으로 관통해 적층·연결하는 기술 (깊이 ~30μm, 크기 ~5μm)
Interposer
인터포저
칩 간 미세 라우팅을 위한 실리콘 기반 중간 기판, 고난도·고비용
PIM / CIM
메모리 내 연산
메모리 안에 연산 회로를 내장(PIM)하거나 통합(CIM)해 데이터 이동 최소화
Neuromorphic
뉴로모픽
뇌처럼 연산·저장·전달을 동시에 수행하는 저전력 AI 특화 반도체
FinFET / GAAFET (MBCFET)
3D 트랜지스터
채널을 게이트가 3면(FinFET)·4면(GAAFET)으로 감싸 제어력을 높인 구조
BSPDN (Backside Power Delivery)
후면 전력공급
전력 배선을 웨이퍼 뒷면으로 옮겨 신호 배선 공간 확보·면적 축소
NPU (Neural Processing Unit)
신경망 처리장치
행렬 연산 등 AI 추론에 특화된 프로세서, 모듈마다 메모리 내장

스스로 점검

  1. 디자인 회사·파운드리·IDM의 차이는 무엇이며, 삼성이 파운드리와 시스템LSI를 분리 운영하는 이유는?
  2. PPAC의 네 가지 지표는 무엇이고, '먼저 가격을 낮추는 기업이 이긴다'는 말의 의미는?
  3. 10nm 이하 공정명(5nm·3nm)이 실제 물리적 치수가 아니라는 것은 무슨 뜻인가?
  4. AlphaGo 사례에서 일반 PC와 달리 메모리 비용이 CPU를 넘어선 사실이 시사하는 산업 변화는?
  5. 폰 노이만 구조의 근본 한계는 무엇이며, PIM·PNM·CIM·브레인라이크는 각각 어떻게 이를 극복하는가?
  6. HBM이 저전력과 고대역폭을 동시에 달성하는 원리(낮은 핀당 스피드 + 많은 IO)와 그로 인한 비용 증가 요인은?
  7. FinFET에서 GAAFET으로의 전환과 BSPDN 적용이 전력·성능·면적(PPA)을 어떻게 개선하는가?